Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
isolated-gate MOS — MOP darinys su izoliuotąja užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. isolated gate MOS; isolated gate MOS structure vok. MOS Struktur mit isoliertem Gate, f rus. МОП структура с изолированным затвором, f pranc. structure MOS à… … Radioelektronikos terminų žodynas
isolated silicon-gate CMOS structure — jungtinis MOP darinys su izoliuotomis silicio užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. isolated silicon gate CMOS; isolated silicon gate CMOS structure vok. CMOS IC mit isoliertem Gate, n; komplementärer MOS Schaltkreis mit … Radioelektronikos terminų žodynas
structure MOS à grille isolée — MOP darinys su izoliuotąja užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. isolated gate MOS; isolated gate MOS structure vok. MOS Struktur mit isoliertem Gate, f rus. МОП структура с изолированным затвором, f pranc. structure MOS à… … Radioelektronikos terminų žodynas
MOS-Struktur mit isoliertem Gate — MOP darinys su izoliuotąja užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. isolated gate MOS; isolated gate MOS structure vok. MOS Struktur mit isoliertem Gate, f rus. МОП структура с изолированным затвором, f pranc. structure MOS à… … Radioelektronikos terminų žodynas
isolated silicon-gate CMOS — jungtinis MOP darinys su izoliuotomis silicio užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. isolated silicon gate CMOS; isolated silicon gate CMOS structure vok. CMOS IC mit isoliertem Gate, n; komplementärer MOS Schaltkreis mit … Radioelektronikos terminų žodynas
Insulated-gate bipolar transistor — The insulated gate bipolar transistor or IGBT is a three terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. It switches electric power in many modern appliances: electric cars, variable speed refrigerators, air… … Wikipedia
komplementärer MOS-Schaltkreis mit isoliertem Gate — jungtinis MOP darinys su izoliuotomis silicio užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. isolated silicon gate CMOS; isolated silicon gate CMOS structure vok. CMOS IC mit isoliertem Gate, n; komplementärer MOS Schaltkreis mit … Radioelektronikos terminų žodynas
CMOS-IC mit isoliertem Gate — jungtinis MOP darinys su izoliuotomis silicio užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. isolated silicon gate CMOS; isolated silicon gate CMOS structure vok. CMOS IC mit isoliertem Gate, n; komplementärer MOS Schaltkreis mit … Radioelektronikos terminų žodynas
Floating Gate MOSFET — The Floating Gate MOSFET (FGMOS) is a field effect transistor, whose structure is similar to a conventional MOSFET. The gate of the FGMOS is electrically isolated, creating a floating node in DC, and a number of secondary gates or inputs are… … Wikipedia
MOP darinys su izoliuotąja užtūra — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. isolated gate MOS; isolated gate MOS structure vok. MOS Struktur mit isoliertem Gate, f rus. МОП структура с изолированным затвором, f pranc. structure MOS à grille isolée, f … Radioelektronikos terminų žodynas
